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| MIT攜手斯坦福打造集成處理器和內(nèi)存的3D芯片 | |
| datetime:2017-07-12 Hits:1514 | |
| 為了追趕摩爾定律，麻省理工與斯坦福兩所大學(xué)的計(jì)算機(jī)科學(xué)家和電氣工程師們，攜手開(kāi)發(fā)出了一種集成了內(nèi)存和處理器、并采用碳納米管線來(lái)連接的 3D 計(jì)算芯片。該團(tuán)隊(duì)制造了一臺(tái)小規(guī)模的碳納米管（CNT）計(jì)算機(jī)，它能夠運(yùn)行程序、簡(jiǎn)單的多任務(wù)操作系統(tǒng)、以及執(zhí)行 MIPS 指令。項(xiàng)目領(lǐng)導(dǎo)人 Max Shulaker 相信，該技術(shù)能夠克服邏輯電路和內(nèi)存之間的通訊瓶頸。 當(dāng)前工程師們所面臨的一個(gè)問(wèn)題，就是日益增長(zhǎng)的處理器（或存儲(chǔ)）性能、與不斷往返的大量數(shù)據(jù)傳輸之間的矛盾。即使當(dāng)前最快的 CPU 和 RAM，仍受制于傳統(tǒng)的并行總線架構(gòu)。 而斯坦福/麻省理工研究團(tuán)隊(duì)的 3D 芯片，則交錯(cuò)布置著邏輯與內(nèi)存層。這項(xiàng)技術(shù)不僅已被證實(shí)可行，也從根本上改變了晶體管的裝配方式。 該芯片并未采用硅來(lái)制作晶體管，而是石墨烯；更確切的說(shuō)，其中的碳納米管也是由石墨烯制造的 —— 它們被稱(chēng)作“碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管”（CNFET），且在芯片上提供了邏輯層。 處理器上的其它層是“可變電阻式內(nèi)存”（RRAM），它通過(guò)改變固體介質(zhì)材料的電阻來(lái)工作。研究合著者 H.-S. Philip Wong 表示：“與 DRAM 相比，RRAM 的密度、速度和能效都可以更高”。 |
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